IRFH5210TRPBF

1.Manji gubici provodljivosti
2. Omogućava bolju toplotnu disipaciju
3. Povećana pouzdanost
4. Povećana gustoća snage
5. Kompatibilnost sa više dobavljača
6. Lakša proizvodnja
7. Ekološki prihvatljiviji
8. Povećana pouzdanost

Broj dijela proizvođača: IRFH9310TRPBF
Proizvođač / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
Dio opisa: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status bez olova / RoHS status: Bez olova / Usklađen sa RoHS
Stanje zalihe:Novi original, 12000 kom na zalihama na raspolaganju.
Dostava iz:Hong Konga
Način isporuke: DHL/Fedex/TNT/UPS
Atribut proizvoda Vrijednost atributa Odaberite Atribut
Broj dijela IRFH9310TRPBF
Proizvođač / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
Zaliha Količina 12000 kom Stock
Kategorija Diskretni poluprovodnički proizvodi > Tranzistori - FET-ovi, MOSFET-ovi - pojedinačni
Opis MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status bez olova / RoHS status: bez olova / u skladu sa RoHS
Širina - unutar -55°C ~ 150°C (TJ)
Napon/struja - Izlaz 1 PQFN (5x6)
Tolerancija 5250pF @ 15V
Tip repa P-kanal
Ugao koraka MOSFET (metalni oksid)
Temperatura skupljanja Infineon Technologies
SFP/XFP tip ±20V
Daljinska sposobnost HEXFET®
Pitch - kablovska površinska montaža
Drugi nazivi bez olova / u skladu sa RoHS
Drugi nazivi 1
Oscilator Tip 8-PowerVDFN
Broj DAC-ova 30V
Minimalna specifična težina tekućine -
Orijentacija parenja 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Broj dijela proizvođača IRFH9310TRPBFDKR-ND
Dužina - Cijev Digi-Reel®
Boja lampe 4.5V, 10V
Visoki bočni napon - Max (bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funkcija 58nC @ 4.5V
Snaga zavojnice aktivna
Kapacitet kanala (CS(off), CD(off)) 3.1W (Ta)
Tip čitača kartica 2.4V @ 100µA
Karakteristike i prednosti
Karakteristike rezultirajuće prednosti
Nizak RDSon (≤ 4,6mΩ) Manji gubici provodljivosti
Kompatibilnost više dobavljača sa standardnim PQFN paketom
Usklađeno sa RoHS Ne sadrži olovo, bromide i halogene ekološki prihvatljivije
rezultati u
Bilješka
Form Quantity
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm traka i kolut 4000
Broj dela koji se može naručiti Tip pakovanja Standardno pak
VDS -30 V
RDS(on) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipično) 110 nC
RG (tipično) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Apsolutne maksimalne ocjene
Jedinice parametara
VDS napon odvod-izvor
VGS napon od vrata do izvora
ID @ TA = 25°C Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V (paket ograničen)
IDM impulsna struja odvoda
PD @TA = 25°C disipacija snage
PD @ TA = 70°C Rasipanje snage
Linearni faktor smanjenja vrijednosti W/°C
TJ Operating Junction i
TSTG Raspon temperature skladištenja
Repetitive rating;širina impulsa ograničena na max.temperatura spoja.
Početni TJ = 25°C, L = 1,1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Širina impulsa ≤ 400µs;radni ciklus ≤ 2%.
Kada se montira na kvadratnu bakrenu ploču od 1 inča.
Rθ se mjeri na TJ od približno 90°C.
SAMO ZA DIZAJN POMOĆ, nije predmet proizvodnog testiranja.